Электронные приборы — Приведены основы физики полупроводников как базы для реализации элементов полупроводниковой твердотельной электроники и микроэлектроники. Рассмотрены физические процессы, протекающие в полупроводниковых приборах, используемых в современной технике.
Даны: классификации, параметры и характеристики существующих на рынке элементов твердотельной электроники, включая экспериментальные и опытные приборы микроволнового и оптического диапазонов на новых принципах и современных технологиях.
Описаны преобразовательные приборы, использующие различные эффекты в полупроводниковых материалах.
Приведены задания для самостоятельной работы и примеры инженерных расчетов с использованием эквивалентных электрических схем транзистора.
Данное пособие может быть полезным для студентов всех инженерных направлений, в том числе и радиотехнического профиля, а также студентов физических факультетов.

Название: Электронные приборы
Автор: Червяков Г. Г., Прохоров С. Г., Шиндор О. В.
Издательство: Феникс
Год: 2012
Страниц: 333
Формат: PDF
Размер: 27,0 МБ
ISBN: 978-5-222-19217-7
Качество: Отличное
Серия или Выпуск: Высшее образование
Язык: Русский

Содержание:

Введение
1. Основы физики полупроводников
1.1. Зонная структура полупроводников
1.2. Электронно-дырочный переход
1.3. Вольт-амперная характеристика p—n-перехода
1.4. Вольт-амперная характеристика реального p—n-перехода
1.5. Контакты металла с полупроводником
1.6. Контакты между полупроводниками с одинаковыми типами проводимости
2. Диоды
2.1. Классификация диодов
2.2. Эквивалентная электрическая схема p—n-перехода
2.3. Выпрямительные диоды
2.4. Высокочастотные диоды
2.5. Импульсные диоды
2.6. Мезадиоды
2.7. Стабилитроны
2.8. Параметрический стабилизатор напряжения
2.9. Варикап
2.10. Диод Шоттки
2.11. Туннельный диод
2.12. Лавинно-пролетные диоды и диоды Ганна
3. Биполярные транзисторы
3.1. Классификация
3.2. Общие сведения
3.3. Принцип работы транзистора
3.4. Три схемы включения транзистора
3.5. Вольт-амперные характеристики транзистора в схеме включения с общей базой
3.6. Эквивалентная электрическая схема транзистора с ОБ
3.7. Вольт-амперные характеристики транзистора с ОЭ
3.8. Транзистор как линейный четырехполюсник
3.9. Физические факторы, ограничивающие частотный диапазон транзистора
3.10. Разновидности биполярных транзисторов
3.11. Зависимость параметров транзисторов от режима и температуры
3.12. Работа транзистора в ключевом режиме
3.13. Структура и принцип действия тиристоров
4. Полевые транзисторы и ПЗС
4.1. Полевые транзисторы с управляющимр-n-переходом
4.2. МДП-транзисторы
4.3. Основные параметры МДП-транзистора
4.4. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью
4.5. Способы формирования видеосигнала
4.6. Приборы с зарядовой инжекцией
5. Биполярные и полевые СВЧ-транзисторы
5.1. Биполярные СВЧ-транзисторы
5.2. Полевые СВЧ-транзисторы
5.3. Сверхбыстродействующие транзисторы
5.4. Состояние и перспективы развития элементной базы и технологии полупроводниковой электроники
5.5. Приборы на квантово-размерных эффектах
6. Преобразовательные приборы
6.1. Полупроводниковые источники излучения
6.2. Светоизлучающие диоды
6.3. Лазеры
6.4. Электролюминесцентные и пленочные излучатели
6.5. Внутренний фотоэффект и фотоприборы
6.6. Термисторы с отрицательным температурным коэффициентом
6.7. Позисторы
6.8. Варисторы
6.9. Полупроводниковые гальваномагнитные эффекты и приборы
6.10. Тензоэлектрические полупроводниковые приборы
Заключение
Тесты
Приложение. Расчет динамического режима работы биполярного транзистора по переменному току
Список литературы